Новости

Данный раздел посвящен наиболее значимым событиям, относящимся к деятельности нашей компании, а также новостям касающихся поставляемой нами продукции.

Новый усилительный субмодуль (паллета) IGNP1011L2400 производства Integra Technologies: 2,2кВт (1030, 1090 МГц)

Integra Technologies, Inc. анонсировала выпуск нового усилительного субмодуля (паллеты), IGNP1011L2400 предназначенного для систем вторичной радиолокации L-диапазона работающих в режимах Mode S ELM (пачка из 48 импульсов: 32мкс вкл, 18мкс выкл; усредненный коэффициент заполнения 6.4%) или Mode S (длительность импульса 128мкс, коэффициент заполнения 2%).

Усилительный субмодуль IGNP1011L2400 работает как на частоте 1030МГц, так и на частоте 1090МГц. При усилении импульсного сигнала обеспечивается выходная пиковая мощность не менее 2200Вт при усилении более 16дБ и КПД порядка 57%. Напряжение питания паллеты составляет 50В.
IGNP1011L2400

Новый тип корпуса СВЧ ИС Amcom Communications, предлагаемый как альтернатива корпусу типа FM

Для выпускаемых ею СВЧ ИС - усилителей мощности (MMIC PA), компания Amcom Communications анонсировала новый тип корпуса EM, позиционирующийся как альтернатива используемому в настоящее время корпусу типа FM.

По мнению компании, новый корпус в перспективе должен полностью заменить корпус типа FM, поскольку он обладает рядом преимуществ: выполненный на основе медно-вольфрамового сплава он более дешев в производстве, при этом обладая несколько лучшими характеристиками, чем используемый в настоящее время корпус типа FM, выполненный на основе меди.

Выпускаемые в настоящее время СВЧ ИС Amcom Communications доступны для заказа в новом корпусе. Для получения дополнительной технической информации о новом корпусе и условий поставки Вы можете обратиться к официальному представителю Amcom Communications в Вашем регионе.
Новый тип корпуса EM для СВЧ ИС Amcom Communications

Многофункциональные цифровые измерители проходной мощности Werlatone

Компания Werlatone анонсировала выпуск новой линейки продукции - многофункциональных цифровых измерителей проходной мощности. Линейка содержит модели предназначенных для включения как в коаксиальный, так и в волноводный тракт. Измеряемая мощность зависит от модели, и может достигать 10кВт (в непрерывном режиме).

Помимо измерения уровней прямой и обратной мощности (Вт, дБм), данные измерители позволяют также контролировать КСВН и температуру (как внутри измерителя, так и при помощи внешнего датчика).

Цифровые измерители мощности оснащены широким спектром интерфейсов (Ethernet, RS485, RS232, CANBUS) и обладают гибкими возможностями по конфигурированию и управлению (как при помощи SMNP, так и при помощи веб-браузера). Помимо этого, измерители обладают 6-ю конфигурируемыми многофункциональными входами, позволяющими обрабатывать различные внешние события.

Измерители мощности также могут комплектоваться внешним 8-ми канальным регистратором показаний для монтажа в стойку(1U), а также специализированным ПО для Windows и Android.
Питание измерителей осуществляется как при помощи блока питания от сети переменного тока, так и удаленно (POE, либо через интерфейс RS485).
Многофункциональные цифровые измерители проходной мощности Werlatone

Новый GaN-on-SiC транзистор Integra Technologies: 50Вт (5.2-5.9 ГГц)

Integra Technologies, Inc. анонсировала выпуск нового GaN-on-SiC (Нитрид галлия на карбиде кремния) транзистора, IGT5259L50 согласованного по входу и выходу на 50 Ом и предназначенного для импульсных радарных применений C-диапазона.
Транзистор IGT5259L50 работает в диапазоне частот 5,2-5,9 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 1мс и коэффициентом заполнения 15%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 50Вт при усилении 14дБ и КПД порядка 43%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.

Все выпускаемые транзисторы проходят 100% ВЧ тестирование в режиме номинальной выходной мощности в специализированной тестовой оснастке и соотвествуют требованиям стандарта MIL-STD-750D.
IGT5259L50

Новый GaN-on-SiC транзистор Integra Technologies: 500Вт (1.2-1.4 ГГц)

Integra Technologies, Inc. анонсировала выпуск нового GaN-on-SiC (Нитрид галлия на карбиде кремния) транзистора, IGN1214L500B предназначенного для радарных применений L-диапазона с большой длительностью импульса.

Транзистор IGN1214L500B работает в диапазоне частот 1,2-1,4ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 2мс и коэффициентом заполнения 20%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 500Вт при усилении 15,5дБ и КПД порядка 65%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.
IGN1214L500B
ВНИМАНИЕ! Наш Cайт использует файлы cookies. Это позволяет обеспечивать удобный просмотр нашего Сайта, а также даёт возможность улучшать его. Продолжая просмотр Сайта, Вы соглашаетесь с использованием cookie-файлов.
© 2018 ООО «ВЕКТ» (Центр Инженерно-Технических Решений™).