Новости

Данный раздел посвящен наиболее значимым событиям, относящимся к деятельности нашей компании, а также новостям касающихся поставляемой нами продукции.

Многофункциональные цифровые измерители проходной мощности Werlatone

Компания Werlatone анонсировала выпуск новой линейки продукции - многофункциональных цифровых измерителей проходной мощности. Линейка содержит модели предназначенных для включения как в коаксиальный, так и в волноводный тракт. Измеряемая мощность зависит от модели, и может достигать 10кВт (в непрерывном режиме).

Помимо измерения уровней прямой и обратной мощности (Вт, дБм), данные измерители позволяют также контролировать КСВН и температуру (как внутри измерителя, так и при помощи внешнего датчика).

Цифровые измерители мощности оснащены широким спектром интерфейсов (Ethernet, RS485, RS232, CANBUS) и обладают гибкими возможностями по конфигурированию и управлению (как при помощи SMNP, так и при помощи веб-браузера). Помимо этого, измерители обладают 6-ю конфигурируемыми многофункциональными входами, позволяющими обрабатывать различные внешние события.

Измерители мощности также могут комплектоваться внешним 8-ми канальным регистратором показаний для монтажа в стойку(1U), а также специализированным ПО для Windows и Android.
Питание измерителей осуществляется как при помощи блока питания от сети переменного тока, так и удаленно (POE, либо через интерфейс RS485).
Многофункциональные цифровые измерители проходной мощности Werlatone

Новый GaN-on-SiC транзистор Integra Technologies: 50Вт (5.2-5.9 ГГц)

Integra Technologies, Inc. анонсировала выпуск нового GaN-on-SiC (Нитрид галлия на карбиде кремния) транзистора, IGT5259L50 согласованного по входу и выходу на 50 Ом и предназначенного для импульсных радарных применений C-диапазона.
Транзистор IGT5259L50 работает в диапазоне частот 5,2-5,9 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 1мс и коэффициентом заполнения 15%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 50Вт при усилении 14дБ и КПД порядка 43%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.

Все выпускаемые транзисторы проходят 100% ВЧ тестирование в режиме номинальной выходной мощности в специализированной тестовой оснастке и соотвествуют требованиям стандарта MIL-STD-750D.
IGT5259L50

Новый GaN-on-SiC транзистор Integra Technologies: 500Вт (1.2-1.4 ГГц)

Integra Technologies, Inc. анонсировала выпуск нового GaN-on-SiC (Нитрид галлия на карбиде кремния) транзистора, IGN1214L500B предназначенного для радарных применений L-диапазона с большой длительностью импульса.

Транзистор IGN1214L500B работает в диапазоне частот 1,2-1,4ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 2мс и коэффициентом заполнения 20%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 500Вт при усилении 15,5дБ и КПД порядка 65%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.
IGN1214L500B

Новые GaN-on-SiC HEMT транзисторы Integra Technologies: 550Вт (1.2-1.4 ГГц), 200Вт (2,7-3,1 ГГц)

Integra Technologies, Inc. анонсировала два новых GaN-on-SiC HEMT (Нитрид галлия на карбиде кремния ПВПЭ) транзистора, один из которых IGN1214M500R2 предназначен для радарных применений L-диапазона, а второй - IGN2731M200 - для применения в системах радиолокации S-диапазона.

Транзистор IGN1214M500R2 работает в диапазоне частот 1,2-1,4ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 100мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 550Вт при усилении 17дБ и КПД порядка 70%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.

Второй представленный транзистор - IGN2731M200 работает в диапазоне частот 2,7-3,1 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%,транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 200Вт при усилении 14дБ и КПД порядка 54%. Напряжение питания транзистора составляет 44В.
IGN1214M500R2 и IGN2731M200

Новые GaN-on-SiC HEMT транзисторы Integra Technologies: 80Вт (5.2-5.9 ГГц), 500Вт (960-1215 МГц)

Integra Technologies, Inc. анонсировала два новых GaN-on-SiC HEMT (Нитрид галлия на карбиде кремния ПВПЭ) транзистора, один из которых IGN5259M80R2 предназначен для радарных применений С-диапазона, а второй - IGN0912LM500 - для применения в системах радиолокации L-диапазона.

Транзистор IGN5259M80R2 работает в непрерывном диапазоне частот 5,2-5,9 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 80 Вт при усилении 13дБ и КПД порядка 48%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.

Второй анонсированный транзистор - IGN0912LM500 работает в диапазоне частот 960-1215 МГц. При усилении импульсного сигнала режима Mode S-ELM транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 500 Вт при усилении 18дБ и КПД порядка 60%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.
IGN5259M80R2 и IGN0912LM500
© 2018 ООО «ВЕКТ» (Центр Инженерно-Технических Решений™).