Новости

Данный раздел посвящен наиболее значимым событиям, относящимся к деятельности нашей компании, а также новостям касающихся поставляемой нами продукции.

Integra Technologies анонсировала выпуск новых интегрированных GaN продуктов, для применения в составе 50-омных усилительных трактов

Компания Integra Technologies анонсировала выпуск трех новых интегрированных GaN продуктов, для использования в составе усилительных трактов с волновым сопротивлением 50 Ом: двух транзисторов (IGT2735M30 и IGT5259M25), а также усилительного субмодуля (паллеты) IGNP2729M1K предназначенного для применения в радарах S-диапазона и обеспечивающего пиковую мощность 1000Вт.

Транзистор IGT2735M30 разработан для работы в S-диапазоне (2,7 – 3,5 ГГц). Оптимизированный для работы с импульсным сигналом с длительностью импульса до 300 мкс и усреднённым коэффициентом заполнения 10%, данный полупроводниковый прибор обеспечивает пиковую выходную мощность не менее 35 ватт при усилении 12дБ и КПД 55%. Номинальное рабочее напряжение устройства составляет 35В, при напряжении пробоя близком к 100В.

Второй представленный транзистор IGT5259M25 предназначен для использования в С-диапазоне (5,2 – 5,9 ГГц). При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса до 300 мкс и усреднённом коэффициенте заполнения 10%, данный прибор обеспечивает пиковую выходную мощность не менее 30 ватт, при усилении 12дБ и КПД 55%. Номинальное рабочее напряжение транзистора 36В, а напряжение пробоя составляет около 100В.

Последний из представленных продуктов - усилительный субмодуль (паллета) IGNP2729M1K предназначен для использования в гражданских системах управления воздушным движением. При работе в диапазоне 2,7 – 2,9 ГГц, данный усилительный субмодуль обеспечивает выходную мощность свыше 1000 Ватт при усилении 11 дБ и КПД 58%.

Integra Technologies анонсировала новые GaN продукты для авиационных применений L-диапазона

Integra Technologies, Inc. представила два новых нитрид- галлиевых (GaN on SiC) полупроводниковых прибора для работы в L-диапазоне: IGN1011M675 и IGN1011M1200.

Транзистор IGN1011M675 разработан для использования в гражданских системах опознавания, работающих в L-диапазоне. При усилении импульсного сигнала (длительность пачки импульсов – 2,4 мс, усреднённый коэффициент заполнения 6,4 %), данный полупроводниковый прибор обеспечивает пиковую выходную мощность порядка 750 ватт с усилением 12дБ при КПД 50%. Транзистор выпускается в керамическом корпусе с фланцем, что обеспечивает лучший, чем у пластиковых корпусов, отвод тепла.

Второй анонсированный транзистор, IGN1011M1200 обладает схожими характеристиками, однако при тех же параметрах сигнала рассчитан на большую выходную мощность: 1200Вт. Также как и первый транзистор, IGN1011M1200 выпускается в керамическом корпусе большего размера с фланцем.

Замена серии 545L сверхширокополосных конденсаторов ATC

Компания American Technical Ceramics (ATC) объявила о снятии с производства сверширокополосных конденсаторов серии 545L и замене ее на более новую серию 550L.

Информация о серии 550L доступна на сайте производителя. Заказы на серию 545L больше приниматься не будут.

Новый широкополосный GaN транзистор Integra Technologies IGN0110UM100

Транзистор IGN0110UM100 имеет двухвыводную конструкцию и является ВПЭ-транзистором (HEMT) выполненном на основе нитрида галлия (GaN). Этот прибор предназначен для широкополосных приложений, работающих в диапазоне частот 100МГц - 1ГГц (непрерывный диапазон). При работе в классе АВ с CW сигналом транзистор обеспечивает выходную мощность не менее 100 Вт при усилении порядка 12 дБ. Кроме того, транзистор может работать и с импульсным сингалом в широком диапазоне длительностей импульсов и коэффициентов заполнения. Данный транзистор обеспечивает спектральную чистоту сигнала при значении КСВН нагрузки 3:1. Дополнительная информация доступна на сайте производителя.

Почетный диплом выставки "Экспоэлектроника"

За многолетнее участие в выствке "Экспоэлектроника" наша компания была награждена специальным почетным дипломом. Следует отметить, что мы являемся постоянным участником данной выставки с момента ее первого проведения в 1998 году.

ЭкспоЭлектроника-крупнейшая в России и Восточной Европе выставка электронных компонентов и технологического оборудования, проходящая в Москве с 1998 года и ежегодно демонстрирующая новинки отрасли.

ЭкспоЭлектроника - единственная выставка, которая не только активно привлекает дистрибьюторов иностранных компонентов, но и поддерживает российских производителей. В 2005 году выставке были присвоены Знак Российского Союза выставок и ярмарок (РСВЯ) и знак Всемирной Ассоциации выставочной индустрии (UFI)- знаки высокого качества выставочного мероприятия.
© 2017 ООО «ВЕКТ» (Центр Инженерно-Технических Решений™).