Новости

Integra Technologies, Inc. анонсировала два новых GaN-on-SiC транзистора, согласованных по входу и выходу на 50 Ом и предназначенных для импульсных радарных применений S-диапазона (например, для систем управления воздушным движением).

Транзистор IGT2731M150 работает в непрерывном диапазоне частот 2,7–3,1 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 150 Вт. Номинальное значение пиковой мощности составляет 165Вт при усилении 15дБ и КПД порядка 60%. Напряжение питания транзистора составляет 50В. Данный транзистор доступен в нескольких типах корпусов.

Второй анонсированный транзистор - IGT3135M135 работает в непрерывном диапазоне частот 3,1–3,5 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 135 Вт. Номинальное значение пиковой мощности составляет 150Вт при усилении 14дБ и КПД порядка 60%. Напряжение питания, как и у предыдущего транзистора, составляет 50В. Транзистор также доступен в нескольких типах корпусов.

Образцы IGT3135M135 и IGT2731M150 доступны у официальных представителей Integra Technologies.

Integra Technologies, Inc. анонсировала новый согласованный GaN-on-SiC HEMT транзистор, предназначенный для радарных применений S-диапазона.

Транзистор IGN2731M5 предназначен в основном для каскадов предварительного усиления сигнала. Полоса рабочих частот транзистора 2,7 – 3,1 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 5 Вт при усилении 15дБ и КПД порядка 45%. Номинальное рабочее напряжение составляет 50В, а напряжение пробоя составляет около 120В.

Конструкция транзистора включает встроенные цепи согласования по входу и выходу. Отличительной особенностью данного прибора является возможность его работы в режиме АВ. Также в конструкции транзистора используется золотая металлизация контактных поверхностей кристалла и золотые соединительные проводники, что обеспечивает высокую надежность его работы.

Компания Integra Technologies первой на рынке представила полностью интегрированное “Plug-N-Play” GaN решение для радарных применений S-диапазона. Новый усилительный субмодуль (паллета) IGNP2729M1KW-GPS представляет собой полностью готовое устройство для встраивания в 50-омный тракт. Паллета питается от однополярного источника питания напряжением 50В и обеспечивает импульсную выходную мощность 1кВт при длительности импульса 300мкС и коэффициенте заполнения 10%. Отличительными особенностями данной паллеты является наличие цепей автоматического включения питания, а также подачи напряжения смещения при появлении ВЧ сигнала на входе. Данные особенности конструкции позволяют уменьшить уровень выходных шумов и упростить интеграцию усилителя в систему (достаточно подключить питающее напряжение и подать сигнал на вход). Все производимые паллеты проходят перед отгрузкой тщательное ВЧ тестирование.

Компания Narda Microwave-East (подразделение L-3 Communications) объявила о выпуске 9 новых моделей регулируемых аттенюаторов, среди которых есть компактные модели, модели с расширенным рабочим диапазоном частот, а также модели, рассчитанные на работу при высоких уровнях мощности. Аттенюаторы характеризуются высокой надежностью, минимальными вносимыми потерями, обеспечивают регулируемое ослабление до 30дБ, а также способны работать при температуре корпуса до 105ºC.

Новые модели подходят для широкого спектра аэрокосмических, оборонных и измерительных применений. Модели с расширенным рабочим диапазоном частот способны обеспечить плавное ослабление сигнала до 20дБ, а модели, рассчитанные на работу при высоких уровнях мощности, обеспечивают ослабление до 10 или 20дБ и способны выдержать мощность до 500Вт.

Integra Technologies, Inc. расширяет портфолио GaN-продуктов предназначенных для использования в радарах систем управления воздушным движением и метеорадарах.

Транзистор IGN2731L200 предназначен для усиления импульсного сигнала в диапазоне частот 2,7 - 3,1 ГГЦ. При длительности импульса порядка 3мс и коэффициенте заполнения 30%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 200 ватт при усилении 13дБ и КПД 54%. Номинальное рабочее напряжение составляет 44В, а напряжение пробоя составляет около 100В.

Транзистор IGN2729M800 предназначен для работы в диапазоне частот 2,7 - 2,9 ГГЦ. Данный продукт характеризуется наибольшей пиковой мощностью, полученной с единичного транзистора (более 900 ватт). При работе с импульсным сигналом с длительностью импульса до 300мкс и усреднённом коэффициенте заполнения 10% усиление достигает 11дБ при КПД 60%. Номинальное рабочее напряжение транзистора 50В, напряжение пробоя около 100В.

Транзисторы IGN3135M135 и IGN3135M230 предназначены для использования в каскадах предварительного усиления в частотном диапазоне 3,1 - 3,5 ГГЦ. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса до 300мкс и усреднённом коэффициенте заполнения 10%, IGN3135M135 обеспечивает пиковую выходную мощность не менее 150ватт, тогда так IGN3135M230 достигает пиковой мощности 250ватт, при усилении 12дБ и КПД 60%. Номинальное рабочее напряжение обоих транзисторов составляет 50В, а напряжение пробоя превышает 100В.