Новости

Integra Technologies, Inc. анонсировала два новых GaN-on-SiC HEMT транзистора, один из которых IGN3135L115 предназначен для импульсных радарных применений S-диапазона, а второй IGN1012S1000 - для систем DME.

Транзистор IGN3135L115 работает в непрерывном диапазоне частот 3,1–3,5 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 3мс и коэффициентом заполнения 30%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 115 Вт при усилении 14дБ и КПД порядка 51%. Напряжение питания транзистора составляет 46В.

Второй анонсированный транзистор - IGN1012S1000 работает в диапазоне частот 1025-1150 МГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 32мкс и коэффициентом заполнения 2%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 1000 Вт при усилении 16дБ и КПД порядка 50%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.

Integra Technologies, Inc. анонсировала два новых GaN-on-SiC транзистора, согласованных по входу и выходу на 50 Ом и предназначенных для импульсных радарных применений S-диапазона (например, для систем управления воздушным движением).

Транзистор IGT2731M150 работает в непрерывном диапазоне частот 2,7–3,1 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 150 Вт. Номинальное значение пиковой мощности составляет 165Вт при усилении 15дБ и КПД порядка 60%. Напряжение питания транзистора составляет 50В. Данный транзистор доступен в нескольких типах корпусов.

Второй анонсированный транзистор - IGT3135M135 работает в непрерывном диапазоне частот 3,1–3,5 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 135 Вт. Номинальное значение пиковой мощности составляет 150Вт при усилении 14дБ и КПД порядка 60%. Напряжение питания, как и у предыдущего транзистора, составляет 50В. Транзистор также доступен в нескольких типах корпусов.

Образцы IGT3135M135 и IGT2731M150 доступны у официальных представителей Integra Technologies.

Integra Technologies, Inc. анонсировала новый согласованный GaN-on-SiC HEMT транзистор, предназначенный для радарных применений S-диапазона.

Транзистор IGN2731M5 предназначен в основном для каскадов предварительного усиления сигнала. Полоса рабочих частот транзистора 2,7 – 3,1 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 5 Вт при усилении 15дБ и КПД порядка 45%. Номинальное рабочее напряжение составляет 50В, а напряжение пробоя составляет около 120В.

Конструкция транзистора включает встроенные цепи согласования по входу и выходу. Отличительной особенностью данного прибора является возможность его работы в режиме АВ. Также в конструкции транзистора используется золотая металлизация контактных поверхностей кристалла и золотые соединительные проводники, что обеспечивает высокую надежность его работы.

Компания Integra Technologies первой на рынке представила полностью интегрированное “Plug-N-Play” GaN решение для радарных применений S-диапазона. Новый усилительный субмодуль (паллета) IGNP2729M1KW-GPS представляет собой полностью готовое устройство для встраивания в 50-омный тракт. Паллета питается от однополярного источника питания напряжением 50В и обеспечивает импульсную выходную мощность 1кВт при длительности импульса 300мкС и коэффициенте заполнения 10%. Отличительными особенностями данной паллеты является наличие цепей автоматического включения питания, а также подачи напряжения смещения при появлении ВЧ сигнала на входе. Данные особенности конструкции позволяют уменьшить уровень выходных шумов и упростить интеграцию усилителя в систему (достаточно подключить питающее напряжение и подать сигнал на вход). Все производимые паллеты проходят перед отгрузкой тщательное ВЧ тестирование.

Компания Narda Microwave-East (подразделение L-3 Communications) объявила о выпуске 9 новых моделей регулируемых аттенюаторов, среди которых есть компактные модели, модели с расширенным рабочим диапазоном частот, а также модели, рассчитанные на работу при высоких уровнях мощности. Аттенюаторы характеризуются высокой надежностью, минимальными вносимыми потерями, обеспечивают регулируемое ослабление до 30дБ, а также способны работать при температуре корпуса до 105ºC.

Новые модели подходят для широкого спектра аэрокосмических, оборонных и измерительных применений. Модели с расширенным рабочим диапазоном частот способны обеспечить плавное ослабление сигнала до 20дБ, а модели, рассчитанные на работу при высоких уровнях мощности, обеспечивают ослабление до 10 или 20дБ и способны выдержать мощность до 500Вт.