Integra Technologies, Inc. анонсировала два новых GaN-on-SiC HEMT (Нитрид галлия на карбиде кремния ПВПЭ) транзистора, один из которых IGN1214M500R2 предназначен для радарных применений L-диапазона, а второй - IGN2731M200 - для применения в системах радиолокации S-диапазона.
Транзистор IGN1214M500R2 работает в диапазоне частот 1,2-1,4ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 100мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 550Вт при усилении 17дБ и КПД порядка 70%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.
Второй представленный транзистор - IGN2731M200 работает в диапазоне частот 2,7-3,1 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%,транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 200Вт при усилении 14дБ и КПД порядка 54%. Напряжение питания транзистора составляет 44В.
Integra Technologies, Inc. анонсировала два новых GaN-on-SiC HEMT (Нитрид галлия на карбиде кремния ПВПЭ) транзистора, один из которых IGN5259M80R2 предназначен для радарных применений С-диапазона, а второй - IGN0912LM500 - для применения в системах радиолокации L-диапазона.
Транзистор IGN5259M80R2 работает в непрерывном диапазоне частот 5,2-5,9 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 80 Вт при усилении 13дБ и КПД порядка 48%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.
Второй анонсированный транзистор - IGN0912LM500 работает в диапазоне частот 960-1215 МГц. При усилении импульсного сигнала режима Mode S-ELM транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 500 Вт при усилении 18дБ и КПД порядка 60%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.
Новые GaN транзисторы Integra Technologies: 1кВт (1025-1150 МГц), 115Вт (3.1-3.5 ГГц)
Дата публикации: .
Integra Technologies, Inc. анонсировала два новых GaN-on-SiC HEMT транзистора, один из которых IGN3135L115 предназначен для импульсных радарных применений S-диапазона, а второй IGN1012S1000 - для систем DME.
Транзистор IGN3135L115 работает в непрерывном диапазоне частот 3,1–3,5 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 3мс и коэффициентом заполнения 30%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 115 Вт при усилении 14дБ и КПД порядка 51%. Напряжение питания транзистора составляет 46В.
Второй анонсированный транзистор - IGN1012S1000 работает в диапазоне частот 1025-1150 МГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 32мкс и коэффициентом заполнения 2%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 1000 Вт при усилении 16дБ и КПД порядка 50%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.
Анонс двух новых согласованных GaN транзисторов Integra Technologies для радарных применений S-диапазона
Дата публикации: .
Integra Technologies, Inc. анонсировала два новых GaN-on-SiC транзистора, согласованных по входу и выходу на 50 Ом и предназначенных для импульсных радарных применений S-диапазона (например, для систем управления воздушным движением).
Транзистор IGT2731M150 работает в непрерывном диапазоне частот 2,7–3,1 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 150 Вт. Номинальное значение пиковой мощности составляет 165Вт при усилении 15дБ и КПД порядка 60%. Напряжение питания транзистора составляет 50В. Данный транзистор доступен в нескольких типах корпусов.
Второй анонсированный транзистор - IGT3135M135 работает в непрерывном диапазоне частот 3,1–3,5 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 135 Вт. Номинальное значение пиковой мощности составляет 150Вт при усилении 14дБ и КПД порядка 60%. Напряжение питания, как и у предыдущего транзистора, составляет 50В. Транзистор также доступен в нескольких типах корпусов.
Образцы IGT3135M135 и IGT2731M150 доступны у официальных представителей Integra Technologies.
Анонс нового согласованного GaN транзистора Integra Technologies для радарных применений S-диапазона
Дата публикации: .
Integra Technologies, Inc. анонсировала новый согласованный GaN-on-SiC HEMT транзистор, предназначенный для радарных применений S-диапазона.
Транзистор IGN2731M5 предназначен в основном для каскадов предварительного усиления сигнала. Полоса рабочих частот транзистора 2,7 – 3,1 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 5 Вт при усилении 15дБ и КПД порядка 45%. Номинальное рабочее напряжение составляет 50В, а напряжение пробоя составляет около 120В.
Конструкция транзистора включает встроенные цепи согласования по входу и выходу. Отличительной особенностью данного прибора является возможность его работы в режиме АВ. Также в конструкции транзистора используется золотая металлизация контактных поверхностей кристалла и золотые соединительные проводники, что обеспечивает высокую надежность его работы.
ВНИМАНИЕ! Наш Cайт использует файлы cookies. Это позволяет обеспечивать удобный просмотр нашего Сайта, а также даёт возможность улучшать его. Продолжая просмотр Сайта, Вы соглашаетесь с использованием cookie-файлов.
