Новости

Компания Integra Technologies первой на рынке представила полностью интегрированное “Plug-N-Play” GaN решение для радарных применений S-диапазона. Новый усилительный субмодуль (паллета) IGNP2729M1KW-GPS представляет собой полностью готовое устройство для встраивания в 50-омный тракт. Паллета питается от однополярного источника питания напряжением 50В и обеспечивает импульсную выходную мощность 1кВт при длительности импульса 300мкС и коэффициенте заполнения 10%. Отличительными особенностями данной паллеты является наличие цепей автоматического включения питания, а также подачи напряжения смещения при появлении ВЧ сигнала на входе. Данные особенности конструкции позволяют уменьшить уровень выходных шумов и упростить интеграцию усилителя в систему (достаточно подключить питающее напряжение и подать сигнал на вход). Все производимые паллеты проходят перед отгрузкой тщательное ВЧ тестирование.

Компания Narda Microwave-East (подразделение L-3 Communications) объявила о выпуске 9 новых моделей регулируемых аттенюаторов, среди которых есть компактные модели, модели с расширенным рабочим диапазоном частот, а также модели, рассчитанные на работу при высоких уровнях мощности. Аттенюаторы характеризуются высокой надежностью, минимальными вносимыми потерями, обеспечивают регулируемое ослабление до 30дБ, а также способны работать при температуре корпуса до 105ºC.

Новые модели подходят для широкого спектра аэрокосмических, оборонных и измерительных применений. Модели с расширенным рабочим диапазоном частот способны обеспечить плавное ослабление сигнала до 20дБ, а модели, рассчитанные на работу при высоких уровнях мощности, обеспечивают ослабление до 10 или 20дБ и способны выдержать мощность до 500Вт.

Integra Technologies, Inc. расширяет портфолио GaN-продуктов предназначенных для использования в радарах систем управления воздушным движением и метеорадарах.

Транзистор IGN2731L200 предназначен для усиления импульсного сигнала в диапазоне частот 2,7 - 3,1 ГГЦ. При длительности импульса порядка 3мс и коэффициенте заполнения 30%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 200 ватт при усилении 13дБ и КПД 54%. Номинальное рабочее напряжение составляет 44В, а напряжение пробоя составляет около 100В.

Транзистор IGN2729M800 предназначен для работы в диапазоне частот 2,7 - 2,9 ГГЦ. Данный продукт характеризуется наибольшей пиковой мощностью, полученной с единичного транзистора (более 900 ватт). При работе с импульсным сигналом с длительностью импульса до 300мкс и усреднённом коэффициенте заполнения 10% усиление достигает 11дБ при КПД 60%. Номинальное рабочее напряжение транзистора 50В, напряжение пробоя около 100В.

Транзисторы IGN3135M135 и IGN3135M230 предназначены для использования в каскадах предварительного усиления в частотном диапазоне 3,1 - 3,5 ГГЦ. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса до 300мкс и усреднённом коэффициенте заполнения 10%, IGN3135M135 обеспечивает пиковую выходную мощность не менее 150ватт, тогда так IGN3135M230 достигает пиковой мощности 250ватт, при усилении 12дБ и КПД 60%. Номинальное рабочее напряжение обоих транзисторов составляет 50В, а напряжение пробоя превышает 100В.

Компания Werlanote сообщила об обновлении своего сайта www.werlatone.com. Новый сайт компании не только позволяет осуществлять поиск продукции по требуемым параметрам, но также обладает возможностью запрашивать у производителя нестандартные исполнения. Помимо этого, на сайте добавлена информация по новым типам продукции - т.н. поглощающим фильтрам (Absorptive Filters - фильтрам согласованным вне пределов рабочей полосы частот).

Компания Integra Technologies анонсировала выпуск трех новых интегрированных GaN продуктов, для использования в составе усилительных трактов с волновым сопротивлением 50 Ом: двух транзисторов (IGT2735M30 и IGT5259M25), а также усилительного субмодуля (паллеты) IGNP2729M1K предназначенного для применения в радарах S-диапазона и обеспечивающего пиковую мощность 1000Вт.

Транзистор IGT2735M30 разработан для работы в S-диапазоне (2,7 – 3,5 ГГц). Оптимизированный для работы с импульсным сигналом с длительностью импульса до 300 мкс и усреднённым коэффициентом заполнения 10%, данный полупроводниковый прибор обеспечивает пиковую выходную мощность не менее 35 ватт при усилении 12дБ и КПД 55%. Номинальное рабочее напряжение устройства составляет 35В, при напряжении пробоя близком к 100В.

Второй представленный транзистор IGT5259M25 предназначен для использования в С-диапазоне (5,2 – 5,9 ГГц). При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса до 300 мкс и усреднённом коэффициенте заполнения 10%, данный прибор обеспечивает пиковую выходную мощность не менее 30 ватт, при усилении 12дБ и КПД 55%. Номинальное рабочее напряжение транзистора 36В, а напряжение пробоя составляет около 100В.

Последний из представленных продуктов - усилительный субмодуль (паллета) IGNP2729M1K предназначен для использования в гражданских системах управления воздушным движением. При работе в диапазоне 2,7 – 2,9 ГГц, данный усилительный субмодуль обеспечивает выходную мощность свыше 1000 Ватт при усилении 11 дБ и КПД 58%.