Данный раздел посвящен наиболее значимым событиям, относящимся к деятельности нашей компании, а также новостям касающихся поставляемой нами продукции.
Integra Technologies анонсировала новые GaN продукты для авиационных применений L-диапазона
Дата публикации: .
Integra Technologies, Inc. представила два новых нитрид- галлиевых (GaN on SiC) полупроводниковых прибора для работы в L-диапазоне: IGN1011M675 и IGN1011M1200.
Транзистор IGN1011M675 разработан для использования в гражданских системах опознавания, работающих в L-диапазоне. При усилении импульсного сигнала (длительность пачки импульсов – 2,4 мс, усреднённый коэффициент заполнения 6,4 %), данный полупроводниковый прибор обеспечивает пиковую выходную мощность порядка 750 ватт с усилением 12дБ при КПД 50%. Транзистор выпускается в керамическом корпусе с фланцем, что обеспечивает лучший, чем у пластиковых корпусов, отвод тепла.
Второй анонсированный транзистор, IGN1011M1200 обладает схожими характеристиками, однако при тех же параметрах сигнала рассчитан на большую выходную мощность: 1200Вт. Также как и первый транзистор, IGN1011M1200 выпускается в керамическом корпусе большего размера с фланцем.
Замена серии 545L сверхширокополосных конденсаторов ATC
Дата публикации: .
Компания American Technical Ceramics (ATC) объявила о снятии с производства сверширокополосных конденсаторов серии 545L и замене ее на более новую серию 550L.
Информация о серии 550L доступна на сайте производителя. Заказы на серию 545L больше приниматься не будут.
Новый широкополосный GaN транзистор Integra Technologies IGN0110UM100
Дата публикации: .
Транзистор IGN0110UM100 имеет двухвыводную конструкцию и является ВПЭ-транзистором (HEMT) выполненном на основе нитрида галлия (GaN). Этот прибор предназначен для широкополосных приложений, работающих в диапазоне частот 100МГц - 1ГГц (непрерывный диапазон). При работе в классе АВ с CW сигналом транзистор обеспечивает выходную мощность не менее 100 Вт при усилении порядка 12 дБ. Кроме того, транзистор может работать и с импульсным сингалом в широком диапазоне длительностей импульсов и коэффициентов заполнения. Данный транзистор обеспечивает спектральную чистоту сигнала при значении КСВН нагрузки 3:1. Дополнительная информация доступна на сайте производителя.
Почетный диплом выставки "Экспоэлектроника"
Дата публикации: .
За многолетнее участие в выствке "Экспоэлектроника" наша компания была награждена специальным почетным дипломом. Следует отметить, что мы являемся постоянным участником данной выставки с момента ее первого проведения в 1998 году.
ЭкспоЭлектроника-крупнейшая в России и Восточной Европе выставка электронных компонентов и технологического оборудования, проходящая в Москве с 1998 года и ежегодно демонстрирующая новинки отрасли.
ЭкспоЭлектроника - единственная выставка, которая не только активно привлекает дистрибьюторов иностранных компонентов, но и поддерживает российских производителей. В 2005 году выставке были присвоены Знак Российского Союза выставок и ярмарок (РСВЯ) и знак Всемирной Ассоциации выставочной индустрии (UFI)- знаки высокого качества выставочного мероприятия.
Специализированная выставка "Металл-Экспо 2011"
Дата публикации: .
Наша компания приняла участие в выставке "Металл-Экспо 2011" прошедшей 15-18 ноября в Москве на ВВЦ в павильонах № 69,75. Во время проведения выставки на нашем стенде присутствовал представитель компании Richardson Electronics г. Антонио Палуцци (Antonio Paluzzi).
Также на стенде все желающие могли задать свои вопросы по продукции Richardson Electronics и получить информацию о поставляемых нами мощных электровакуумных приборах для промышленного применения в металлообработке, а также о сопутствующих аксессуарах и пассивных высоковольтных компонентах (конденсаторах, вакуумных реле, разрядниках и т.д.).
ВНИМАНИЕ! Наш Cайт использует файлы cookies. Это позволяет обеспечивать удобный просмотр нашего Сайта, а также даёт возможность улучшать его. Продолжая просмотр Сайта, Вы соглашаетесь с использованием cookie-файлов.
