Новости

Данный раздел посвящен наиболее значимым событиям, относящимся к нашей компании, а также новостям касающихся поставляемой нами продукции.

Новые GaN продукты Integra Technologies для радарных применений S-диапазона.


Integra Technologies, Inc. расширяет портфолио GaN-продуктов  предназначенных для использования в радарах систем управления воздушным движением и метеорадарах.
 
Транзистор IGN2731L200 предназначен для усиления импульсного сигнала в диапазоне частот 2,7 – 3,1 ГГЦ. При длительности импульса порядка 3мс и коэффициенте заполнения 30%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 200 ватт при усилении 13дБ и КПД 54%. Номинальное рабочее напряжение  составляет 44В, а напряжение пробоя составляет около 100В.
 
Транзистор IGN2729M800 предназначен для работы в диапазоне частот 2,7 – 2,9 ГГЦ. Данный продукт характеризуется наибольшей пиковой мощностью, полученной с единичного транзистора (более 900 ватт). При работе с импульсным сигналом с длительностью импульса до 300мкс и усреднённом коэффициенте заполнения 10% усиление достигает 11дБ при КПД 60%. Номинальное рабочее напряжение транзистора 50В,  напряжение пробоя около 100В.

Транзисторы IGN3135M135 и IGN3135M230 предназначены для использования в каскадах предварительного усиления в частотном диапазоне 3,1 – 3,5 ГГЦ. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса до 300мкс и усреднённом коэффициенте заполнения 10%, IGN3135M135 обеспечивает пиковую выходную мощность не менее 150ватт, тогда так IGN3135M230 достигает пиковой мощности 250ватт, при усилении 12дБ и КПД 60%. Номинальное рабочее напряжение обоих транзисторов составляет 50В, а  напряжение пробоя превышает 100В.

IGN2731L200, IGN2729M800, IGN3135M135 и IGN3135M230


Обновление веб-сайта компании Werlatone


Компания Werlanote сообщила об  обновлении своего сайта www.werlatone.com. Новый сайт компании не только позволяет осуществлять поиск продукции по требуемым параметрам, но также обладает возможностью запрашивать у производителя нестандартные исполнения. Помимо этого, на сайте добавлена информация по новым типам продукции - т.н. поглощающим фильтрам (Absorptive Filters - фильтрам согласованным вне пределов рабочей полосы частот).

 Werlatone


Integra Technologies анонсировала выпуск новых интегрированных GaN продуктов, для применения в составе 50-омных усилительных трактов.


Компания Integra Technologies анонсировала выпуск трех новых интегрированных GaN продуктов, для использования в составе усилительных трактов с волновым сопротивлением 50 Ом:  двух транзисторов (IGT2735M30 и IGT5259M25), а также усилительного субмодуля (паллеты) IGNP2729M1K предназначенного для применения в радарах S-диапазона и обеспечивающего пиковую мощность 1000Вт.
 
Транзистор IGT2735M30 разработан для работы в S-диапазоне (2,7 – 3,5 ГГц). Оптимизированный  для работы с импульсным сигналом с длительностью импульса до 300 мкс и усреднённым коэффициентом заполнения 10%, данный полупроводниковый прибор обеспечивает пиковую выходную мощность не менее 35 ватт при усилении 12дБ и КПД 55%. Номинальное рабочее напряжение устройства составляет 35В, при напряжении пробоя близком к 100В.
 
Второй представленный транзистор IGT5259M25 предназначен для использования в С-диапазоне (5,2 – 5,9 ГГц). При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса до 300 мкс и усреднённом коэффициенте заполнения 10%, данный прибор обеспечивает пиковую выходную мощность не менее 30 ватт, при усилении 12дБ и КПД 55%. Номинальное рабочее напряжение транзистора 36В, а  напряжение пробоя составляет около 100В.

Последний из представленных продуктов - усилительный субмодуль (паллета) IGNP2729M1K предназначен для использования  в гражданских системах управления воздушным движением. При работе в диапазоне 2,7 – 2,9 ГГц, данный усилительный субмодуль обеспечивает выходную мощность свыше 1000 Ватт при усилении 11 дБ и КПД 58%.

IGT2735M30, IGT5259M25 и IGNP2729M1K


Integra Technologies анонсировала новые GaN продукты для авиационных применений L-диапазона.


Integra Technologies, Inc. представила два новых нитрид- галлиевых (GaN on SiC) полупроводниковых прибора для работы в L-диапазоне: IGN1011M675 и IGN1011M1200.
Транзистор IGN1011M675 разработан для использования в гражданских системах опознавания, работающих в L-диапазоне. При усилении импульсного сигнала (длительность пачки импульсов – 2,4 мс, усреднённый коэффициент заполнения 6,4 %), данный полупроводниковый прибор обеспечивает пиковую выходную мощность порядка 750 ватт с усилением 12дБ при КПД 50%. Транзистор выпускается в керамическом корпусе с фланцем, что обеспечивает лучший, чем у пластиковых корпусов, отвод тепла.
Второй анонсированный транзистор, IGN1011M1200 обладает схожими характеристиками, однако при тех же параметрах сигнала рассчитан на большую выходную мощность: 1200Вт. Также как и первый транзистор, IGN1011M1200 выпускается в керамическом корпусе большего размера с фланцем.

IGN1011M675 и IGN1011M1200


Специализированная выставка "Экспоэлектроника 2013"

 

Благодарим за внимание всех посетивших наш стенд на ежегодной специализированной выставке "ЭКСПОЭЛЕКТРОНИКА", проходившей с 10 по 12 апреля 2013 года в МВЦ Крокус Экспо (Москва). На нашем стенде можно было ознакомиться с поставляемой нами продукцией, получить консультации наших инженеров, а также получить различные информационно - справочные материалы. В рамках выставки Вы прошли встречи с представителями компаний American Technical Ceramics и Integra Technologies Inc.

ExpoElectronica
 
 

Страница 2 из 4